DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。 DDR3信號質量自動測試軟件；廣東DDR測試HDMI測試

5.串擾在設計微帶線時，串擾是產生時延的一個相當重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB。考慮到互聯通路的成本預算，對于兩邊進行適當的仿真是必須的，當在所有的網線上加一個周期性的激勵，將會由串擾產生的信號抖動，通過仿真，可以在時域觀察信號的抖動，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性，選擇比較好的走線間距。HDMI測試DDR測試服務熱線DDR4物理層一致性測試；

8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關因素，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區域布線。3）由串擾仿真的結果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實現了，但是此走線必須要很細，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走線都只需要兩段的，除非使用微小的過孔和盤中孔的技術。終，考慮到信號完整性的容差和成本，可能選擇折中的方案。

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數據讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數據采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數據采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數據信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數據信號是一樣的。 一種DDR4內存信號測試方法；

3.互聯拓撲對于DDR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯方式，所以不需要任何的拓撲結構，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設置來做到阻抗匹配，從而實現其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯的，所以需要選擇一個合適的拓撲結構，圖2列出了一些相關的拓撲結構，其中Fly-By拓撲結構是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓撲結構都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結構在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現，需要6層板以上，而菊花鏈式拓撲結構在一個4層板上是容易實現的。另外，樹形拓撲結構要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）。考慮到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設計中，合理的拓撲結構就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈式拓撲結構。DDR3信號質量自動測試軟件報告；廣東DDR測試HDMI測試

用DDR的BGA探頭引出測試信號；廣東DDR測試HDMI測試

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。廣東DDR測試HDMI測試